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Amplificadores lineales mmic MMIC-SG101

Características clave ● Alta linealidad: +43dBm OIP3 ● Amplio ancho de banda: 45-1218MHz ● P1dB: 26dBm ● Bajo nivel de ruido: 2,0 dB ● Entrada Salida 75 ohmios Coincidencia ● Fuente de alimentación única: +8V

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Amplificador MMIC de bajo ruido SG106

Características clave ● Ganancia plana de banda ancha a 1,2 GHz ● Mayor ganancia: 19 tipos ● Mayor linealidad: 30 dBm a 500 MHz/5 dBm 2 tonos ● Paquete SOT-89 ● -58dBc CSO 135 canales @ + 15dBmV/ch ● -80dBc CTB 135 canales @ + 15dBmV/ch ● -81dBc XMD 135 canales @ + 15dBmV/ch

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Amplificador controlador multiaplicación SG110

Características clave ● Ganancia plana de banda ancha a 1,2 GHz ● Mayor ganancia: 23,5 tipo ● Mayor linealidad: 35 dBm a 500 MHz/5 dBm 2 tonos ● Paquete SOT-89 ● -60dBc CSO 135 canales @ + 15dBmV/ch ● -70dBc CTB 135 canales @ + 15dBmV/ch ● -80dBc XMD 135 canales @ + 15dBmV/ch

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Amplificador de etapa de salida MMIC-SG800

Características clave ● Mayor linealidad ● Baja distorsión ● Figura de bajo ruido: 2,5 dB ● Ganancia de 20 dB ● Suministro único de +8V ● Amplio ancho de banda: 50 MHz a 1,218 GHz ● Opciones del paquete SOIC-8

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Amplificador MMIC InGaP HBT de alto rendimiento SG850

Características clave ● 0,05-4G, en cascada ● Amplificador HBT InGaP/GaAS de polarización activa ● Ganancia plana de banda ancha a 4 GHz ●IP3=40dBm@1218MHz ● P1dB=23dBm@1218MHz ● Suministro único de +5 V ● ESD de 1000 V, clase IC ● Clasificación de humedad MSL 1

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Circuito integrado amplificador de RF pHEMT de GaAs SG204 de 1,8 GHz

Características principales ● Funcionamiento de 50 MHz a 1800 MHz ● Funcionamiento a 5 V ● Ganancia: 22,4 dB (típica) ● P1dB: 21dBm ● OIP3: 38 dBm ● Factor de ruido: 1,7 dB a 1800 MHz ● Cumple con la normativa RoHS

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Circuito integrado amplificador de RF diferencial GaAs pHEMT SG206 de 1,8 GHz

Características principales ● Funcionamiento de 5 MHz a 1800 MHz ● Funcionamiento a 5V y 8V ● Ganancia: 21,3 dB (típica) ● TCP: 66 dBmV a 8 V ● Factor de ruido: 1,7/3,5 dB a 50/1800 MHz ● Cumple con la normativa RoHS

ETIQUETAS CALIENTES : Amplificador de RF diferencial GaAs pHEMT Amplificador de RF DOCSIS 4.0 Amplificador de RF de 1,8 GHz Amplificador de RF ultralineal Amplificador de RF para dispositivo PHY remoto Amplificador de RF para nodo óptico
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Circuito integrado amplificador de RF GaAs pHEMT SG207 DOCSIS para las fases de entrada y salida (aguas arriba y aguas abajo)

Características principales ● Funcionamiento de 5 MHz a 1800 MHz ● Funcionamiento a 5V y 7V ● Ganancia: 21 dB típico ● Factor de ruido: 1,6 dB a 1800 MHz ● OIP3: 39 dBm típico a 7 V ● OP1dB: 23 dBm típico a 7 V ● Aplicaciones ascendentes: de 5 MHz a 684 MHz ● Aplicaciones descendentes: de 47 MHz a 1800 MHz ● Paquete QFN de 3 × 3 ● Cumple con la normativa RoHS

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Amplificador de potencia de alta linealidad SG126 50MZH-1000MHz

Características clave ● Alta linealidad: +43dBm OIP3@+8V ● Amplio ancho de banda: 50-1000MHz ● P1dB: 26dBm @+8V ● Bajo nivel de ruido: tipo 1,8 dB ● Entrada Salida 75 ohmios Coincidencia ● Fuente de alimentación única: +5V~+8V

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Circuito integrado amplificador de RF GaAs pHEMT de alta ganancia y bajo ruido SG208 de 1,2 GHz

Características principales ● Funcionamiento de 47 MHz a 1218 MHz ●Funcionamiento a 5V y 8V ● Ganancia: 25 dB típico ● Factor de ruido: 1,0 dB a 1200 MHz ● OIP3: 39 dBm típico a 8 V ●OP1dB: 24 dBm típico a 8 V ● Bloque de ganancia de terminación simple ● Paquete QFN de 3 × 3 ● Cumple con la normativa RoHS

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