Amplificadores MMIC de bajo ruido · GaAs pHEMT

Amplificadores de bajo ruido para frontales de RF de banda ancha

Los amplificadores de bajo ruido MMIC de GaAs de SANLAND combinan bajo ruido, alta ganancia y alta linealidad para diseños compactos de receptores de RF y front-ends.

La cartera de productos incluida abarca infraestructura celular, redes CATV, sistemas de 5 GHz y aplicaciones ONU, con paquetes DFN compactos y funcionamiento con una sola fuente de alimentación.

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BAJO NIVEL DE RUIDO

Nivel de ruido nominal tan bajo como 0,30 dB.

BANDA ANCHA

Opciones disponibles hasta 8,5 GHz.

INTEGRACIÓN COMPACTA

Paquetes DFN de hasta 1,5 × 1,5 mm

COMPARACIÓN DE PRODUCTOS

Comparar las especificaciones del LNA

Compare la cobertura de frecuencia, la ganancia, la figura de ruido, el OIP3, el P1dB, los requisitos de alimentación y el tamaño del paquete.

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PRODUCTO	CARACTERÍSTICAS DE RF			LINEALIDAD		POTENCIA Y PAQUETE
Número de pieza Amplificador MMIC de bajo ruido	Frecuencia GHz	Ganancia típica dB	Figura de ruido dB	OIP3 dBm	P1dB típico dBm	Suministrar V / mA	Paquete
AL34 Hoja de datos en PDF ↗	1,5–2,5 0,1–1,2	18 18	0,55 1	35 35	22 21	5 V 55 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL36 Hoja de datos en PDF ↗	0,7–3,8	26 a 850 MHz 21,5 a 1850 MHz 19 a 2500 MHz 15,7 a 3600 MHz	0,30 a 850 MHz 0,40 a 1850 MHz 0,50 a 2500 MHz 0,75 a 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL37Hoja de datos en PDF ↗	0,7–3,8	26 a 850 MHz 21,5 a 1850 MHz 19 a 2500 MHz 15,7 a 3600 MHz	0,30 a 850 MHz 0,40 a 1850 MHz 0,50 a 2500 MHz 0,75 a 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL411Hoja de datos en PDF ↗	0,6–4,2	22	0,65 a 2,6 GHz 0,7 a 3,6 GHz	35	19	5 V 65 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL415 Hoja de datos en PDF ↗	0,6–6	20	0,95 a 5,5 GHz	34	17	5 V 60 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL16 Hoja de datos en PDF ↗	0,4–8,5	21	1,8 a 5 GHz	28	18	5 V 62 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL18 Hoja de datos en PDF ↗	0,4–8,5	21	1,8 a 5 GHz	28	18	3,3 V 72 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL5404Hoja de datos en PDF ↗	4,9–5,9	13	1,2 a 4,9–5,9 GHz	20	9	3,3 V 13 mA	DFN 1,5 × 1,5, 6L

CARACTERÍSTICAS

Sin plomo, conforme a la normativa RoHSPara una integración de productos respetuosa con el medio ambiente.

Ganancia estable con la temperaturaGarantiza un rendimiento de RF constante en todas las condiciones de funcionamiento.

ESD de 1000 V, Clase 1CCaracterística de protección del dispositivo definida.

Funcionamiento desde un único suministroSimplifica la arquitectura de alimentación y la integración del front-end de RF.

SOLICITUDES

01Red de televisión por cable

02Celular, GSM, UMTS, 5 GHz

03ONU

ENFOQUE DE DISEÑO DE LNA

Equilibrio entre sensibilidad, ganancia y linealidad en la etapa de entrada de RF

Las opciones de LNA de SANLAND admiten diseños de receptores de bajo ruido en sistemas celulares, CATV, ONU y de banda ancha inalámbrica.

QUÉ COMPARAR

Figura de ruidoFundamental para preservar la sensibilidad del receptor.

GanarConfigura la amplificación de la señal de entrada antes de las etapas posteriores.

OIP3 y P1dBIndicar la linealidad y el margen de RF disponible.

Suministro y embalajeVerifique las necesidades de polarización y las limitaciones de integración de la placa de circuito impreso.

TECNOLOGÍA E INTEGRACIÓN

MMIC pHEMT de GaAsPlataforma de semiconductores de bajo ruido para etapas de receptores de RF.

DFN compactoEncapsulados de perfil bajo para diseños de PCB de RF de alta densidad.

Suministro únicoSimplifica la integración de sesgos y sistemas de potencia.

Opciones de banda anchaAdmite diseños que se extienden a bandas de radiofrecuencia de varios GHz.

AMPLIFICADORES MMIC DE BAJO RUIDO

Analice sus requisitos de LNA

Comparta sus requisitos de rango de frecuencia, ganancia, factor de ruido, linealidad, fuente de alimentación y encapsulado.
Nuestro equipo de RF le recomendará un amplificador de bajo ruido (LNA) SANLAND adecuado para su diseño.

Revisión de la solicitud y recomendación de LNA

Soporte de ingeniería

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Obtenga recomendaciones prácticas para sus objetivos de diseño de LNA.

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