Módulos amplificadores de avance de 1,8 GHz

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Módulo de vaivén GaN SMG1822DG

GaN Push Pull Amplifier Module

Módulo de vaivén GaN SMG1822DG

Características clave

● Excelente linealidad
● Rendimiento superior en pérdidas y rentabilidad
● Distorsión extremadamente baja
● Confiabilidad óptima
● Bajo nivel de ruido
● Incondicionalmente estable bajo todas las terminaciones
● Ganancia de potencia a 22 dB
● Compatible con DOCSIS 3.1 y 4.0

 

Módulo de vaivén GaN SMG1822DG

El SMG1822DG es un módulo Push Pull. La pieza emplea matrices de GaN y funciona de 47 MHz a 1800 MHz con una tensión de alimentación de +24 V (CC). Proporciona una linealidad excelente y un rendimiento superior de pérdida de retorno con bajo nivel de ruido y confiabilidad óptima.

Tipo Río abajo
Frecuencia mínima (MHz) 47
Frecuencia máxima (MHz) 1800
Pérdida de retorno de entrada(dB) -16
Pérdida de retorno de salida (dB)
-16
Pendiente(dB) 0,5-2,0
Ganar (dB) 22,5
Tensión de entrada de RF (dBmV) 75
Temperatura de almacenamiento (℃) -40 a +100
Temperatura de funcionamiento de la base de montaje () -20 a +90
NF(dB)  4.6
Llanura(dB) ±0,5
Voltaje(V) 24
Corriente (mA) 520-570
rohs
Sin plomo
Libre de halógenos Sí o no

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