Amplificador de bajo ruido AL33 GaAs MMIC

Características clave

● Figura de ruido de 0,4 dB a 900 MHz

● Salida de 35dBm IP3 a 900MHz

● Uso óptimo desde 0,4GHz hasta 1,5GHz

● Tamaño del paquete pequeño: 2,0 x 2,0 x 0,75 mm3

● Suministro único de 5 V

● ESD 250V HBM

● MSL: Nivel 1

● Comparta el mismo paquete y configuración de pines con el uso AL34 de 1,5 GHz a 2,4 GHz

CATEGORÍAS DE PRODUCTO

Amplificador de bajo ruido AL33 GaAs MMIC

AL33 de Sanland es un amplificador de bajo ruido (LNA) MMIC de GaAs económico y fácil de usar. El LNA tiene poco ruido y una alta linealidad lograda mediante el uso de un proceso pHEMT en modo de mejora de GaAs de 0,5 um. Está alojado en un paquete miniatura de 2,0 x 2,0 x 0,75 mm3 de 8 pines, cuádruple plano sin plomo (QFN). Está diseñado para un uso óptimo desde 400MHz hasta 1,5GHz. El tamaño compacto y el perfil bajo junto con el bajo ruido, la alta ganancia y la alta linealidad hacen del AL33 una opción ideal como amplificador de bajo ruido para infraestructura celular para GSM y CDMA.

Tipo	Río abajo
Frecuencia mínima (GHz)	0,4
Frecuencia máxima (GHz)	1.5
Ganancia (dB)	19.4
Pérdida de retorno de entrada (dB)	-dieciséis
Pérdida de retorno de salida(dB)	-12
NF(dB)	0,4
Voltaje(V)	5
Corriente (mA)	135
Tipo de paquete	QFN
RoHS	Sí
Sin plomo	Sí
Libre de halógeno	Sí o no

Aplicaciones principales

LNA para infraestructura celular y otras aplicaciones de ruido ultra bajo.

Características eléctricas para la aplicación

Parámetro	Especificación			Unidades	Notas
	Especificación
	mín.	Tipo.	máx.
frecuencia	0,4		1.5	GHz
Ganar	17,5	20.3	21		800MHz
		19.7			850MHz
		19.4			900MHz
P-1dB	20	22.1			800MHz
	20	22.1			850MHz
	20	22.2			900MHz
OIP3	33	34,5			800MHz
	33	34,8			850MHz
	33	35			900MHz
Aporte devolver pérdida		-15	-10		800MHz
		-15	-10		850MHz
		-dieciséis	-10		900MHz
Producción devolver pérdida		-12	-10		800MHz
		-12	-10		850MHz
		-12	-10		900MHz
NF		0,4	0,55		800MHz
		0,4	0,55		850MHz
		0,4	0,55		900MHz
Aislamiento inverso		-28			800MHz
		-27			850MHz
		-27			900MHz
Vs		5	5.5	V
IC	40	55	80	mA
Condiciones de prueba: VDD=5V, IDD=55mA típ. Espaciado de tonos OIP3=1MHz, Pout por tonelada=+5 dBm TL=25℃, ZS=ZL=50 ohmios

ETIQUETAS CALIENTES : Amplificadores de bajo ruido y alta ganancia Amplificador de bajo ruido GaAs MMIC Amplificador de bajo ruido Amplificadores GSM de bajo ruido Amplificadores CDMA de bajo ruido

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